S25FL128SAGMFIR01 Bộ nhớ Flash SPI NOR 128Mb 104MHz Tốc độ xung nhịp 100K Chu kỳ xóa 20 năm Lưu giữ dữ liệu 2.7-3.6V SOIC-16 -40°C đến +85°C

S25FL128SAGMFIR01 Bộ nhớ Flash SPI NOR 128Mb 104MHz Clock 100K Chu kỳ Xóa 20 năm Lưu giữ Dữ liệu 2.7-3.6V SOIC-16 -40anddeg;C đến +85anddeg;C

andnbsp;

Tính năng

andbull; Lõi CMOS 3.0V với I/O đa năng

andbull; Giao diện ngoại vi nối tiếp (SPI) với nhiều I/O

- Chế độ phân cực và pha đồng hồ SPI 0 và 3

- Tùy chọn DDR

- Địa chỉ mở rộng: Tùy chọn địa chỉ 24 hoặc 32 bit

- Bộ lệnh nối tiếp và dấu chân tương thích với các họ SPI S25FL-A, S25FL-K và S25FL-P

- Bộ lệnh Multi I/O và dấu chân tương thích với họ SPI S25FL-P

andbull; Lệnh đọc

- Bình thường, Nhanh, Kép, Bốn, DDR Nhanh, DDR Kép, DDR Bốn

- AutoBoot andndash; Bật nguồn hoặc đặt lại và thực thi lệnh đọc Bình thường hoặc Bốn tự động tại một địa chỉ được chọn trước

- Dữ liệu Giao diện Flash Chung (CFI) để biết thông tin cấu hình

andbull; Lập trình (1.5 MBps)

- Tùy chọn bộ đệm lập trình trang 256 hoặc 512 byte

- Lập trình trang đầu vào bốn (QPP) cho các hệ thống đồng hồ chậm

- Tự động tạo mã sửa lỗi phần cứng bên trong ECC với sửa lỗi một bit

andbull; Xóa (0.5 đến 0.65 MBps)

- Tùy chọn kích thước phân vùng lai andndash; Tập hợp vật lý gồm ba mươi hai phân vùng 4-KB ở trên cùng hoặc dưới cùng của không gian địa chỉ với tất cả các phân vùng còn lại là 64 KB, để tương thích với các thiết bị S25FL thế hệ trước

- Tùy chọn phân vùng đồng nhất andndash; luôn xóa các khối 256-KB để tương thích phần mềm với các thiết bị có mật độ cao hơn và trong tương lai

andbull; Độ bền chu kỳ

- Tối thiểu 100.000 chu kỳ lập trình-xóa

andbull; Lưu giữ dữ liệu

- Tối thiểu 20 năm lưu giữ dữ liệu

andbull; Tính năng bảo mật

- Mảng một lần lập trình (OTP) gồm 1024 byte

- Bảo vệ khối

andbull; Các bit Thanh ghi Trạng thái để kiểm soát việc bảo vệ chống lại việc lập trình hoặc xóa một phạm vi phân vùng liên tục

andbull; Tùy chọn điều khiển phần cứng và phần mềm

- Bảo vệ phân vùng nâng cao (ASP)

andbull; Bảo vệ phân vùng riêng lẻ được kiểm soát bởi mã khởi động hoặc mật khẩu

andbull; Công nghệ 65-nm MIRRORBITandtrade; với kiến trúc Eclipse

andbull; Điện áp cung cấp lõi: 2.7 V đến 3.6 V

andbull; Điện áp cung cấp I/O: 1.65 V đến 3.6 V

- Gói SO16 và FBGA

andbull; Phạm vi nhiệt độ/cấp:

- Công nghiệp (-40anddeg;C đến +85anddeg;C)

- Công nghiệp Plus (-40anddeg;C đến +105anddeg;C)

- Cấp 3 ô tô AEC-Q100 (-40anddeg;C đến +85anddeg;C)

- Cấp 2 ô tô AEC-Q100 (-40anddeg;C đến +105anddeg;C)

- Cấp 1 ô tô AEC-Q100 (-40anddeg;C đến +125anddeg;C)

andbull; Gói (tất cả đều không chứa Pb)

- SOIC 16 chân (10.30 andtimes; 7.50 andtimes; 2.65 mm) (300 mil)

- DFN 8 chân (6.0 andtimes; 8.0 andtimes; 0.8 mm) (WSON)

- FBGA 24 bi (8.0 andtimes; 6.0 andtimes; 1.2 mm)

andbull; Tùy chọn dấu chân 5 andtimes; 5 bi (FAB024) và 4 andtimes; 6 bi (FAC024)

andbull; Chip tốt đã biết (KGD) và chip đã kiểm tra đã biết

andnbsp;

Mô tả chung

Các thiết bị Infineon S25FL128S và S25FL256S là các sản phẩm bộ nhớ không khả biến flash sử dụng:

andbull; Công nghệ MIRRORBITandtrade; andndash; lưu trữ hai bit dữ liệu trong mỗi bóng bán dẫn mảng bộ nhớ

andbull; Kiến trúc Eclipse andndash; giúp cải thiện đáng kể hiệu suất lập trình và xóa

andbull; Công nghệ in thạch bản 65-nm

Dòng thiết bị này kết nối với hệ thống máy chủ thông qua SPI. Đầu vào và đầu ra nối tiếp một bit SPI truyền thống (Đơn I/O hoặc SIO) được hỗ trợ cũng như các lệnh nối tiếp hai bit (Kép I/O hoặc DIO) và bốn bit (Bốn I/O hoặc QIO) tùy chọn. Giao diện nhiều chiều rộng này được gọi là SPI Multi-I/O hoặc MIO. Ngoài ra, họ FL-S bổ sung hỗ trợ các lệnh đọc DDR cho SIO, DIO và QIO truyền địa chỉ và đọc dữ liệu trên cả hai cạnh của đồng hồ.

Kiến trúc Eclipse có Bộ đệm Lập trình Trang cho phép lập trình tối đa 128 từ (256 byte) hoặc 256 từ (512 byte) trong một thao tác, dẫn đến lập trình và xóa hiệu quả nhanh hơn so với các thuật toán lập trình hoặc xóa SPI thế hệ trước.

Thực thi mã trực tiếp từ bộ nhớ flash thường được gọi là eXecute-in-Place hoặc XIP. Bằng cách sử dụng các thiết bị FL-S ở tốc độ đồng hồ cao hơn được hỗ trợ, với các lệnh QIO hoặc DDR-QIO, tốc độ truyền đọc hướng dẫn có thể khớp hoặc vượt quá giao diện song song truyền thống, bộ nhớ flash NOR không đồng bộ trong khi giảm đáng kể số lượng tín hiệu.

Các sản phẩm S25FL128S và S25FL256S cung cấp mật độ cao kết hợp với tính linh hoạt và hiệu suất nhanh cần thiết cho nhiều ứng dụng nhúng. Chúng lý tưởng để đổ bóng mã, XIP và lưu trữ dữ liệu.

andnbsp;

THÔNG TIN

andnbsp;

Bản vẽ

andnbsp;

Lợi thế của chúng tôi :

• Sản phẩm chất lượng cao --- ưu đãi của chúng tôi là 100% mới và nguyên bản, ROHS
• Giá cả cạnh tranh --- kênh Mua hàng tốt với giá tốt.
• Dịch vụ chuyên nghiệp --- kiểm tra chất lượng nghiêm ngặt trước khi giao hàng và dịch vụ hậu mãi hoàn hảo sau khi mua.
• Hàng tồn kho đầy đủ --- Với sự hỗ trợ của đội Mua hàng mạnh mẽ của chúng tôi,
• Giao hàng nhanh --- chúng tôi sẽ giao hàng trong vòng 1-3 ngày làm việc sau khi thanh toán được xác nhận.

andnbsp;

hãy chắc chắn đáp ứng nhu cầu của bạn về tất cả các loại linh kiện.^_^


Danh sách sản phẩm
Cung cấp một loạt các Linh kiện điện tử, đầy đủ các loại chất bán dẫn, Linh kiện chủ động and thụ động. Chúng tôi có thể giúp bạn có được tất cả cho bom của PCB, Tóm lại, bạn có thể nhận được giải pháp một cửa tại đây,


Các ưu đãi bao gồm:
Mạch tích hợp, IC bộ nhớ, Diode, Transistor, Tụ điện, Điện trở, Varistor, Cầu chì, Máy cắt and Chiết áp, Máy biến áp, Pin, Cáp, Rơ le, Công tắc, Đầu nối, Khối đầu cuối, Tinh thể and Dao động, Cuộn cảm, Cảm biến, Máy biến áp, Trình điều khiển IGBT, LED, LCD, Bộ chuyển đổi, PCB (Bảng mạch in), PCBA (Lắp ráp PCB)

Mạnh về Thương hiệu:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, v.v.