Nhà Sản phẩm

Mô-đun nguồn IGBT

Tất cả sản phẩm

Mô-đun 4G 5G (37)

Mô-đun giao tiếp không dây (38)

Module thu GPS (11)

Các mô-đun điện tích hợp (4)

Mô-đun nguồn IGBT (91)

Linh kiện mạch tích hợp (565)

Linh kiện điện tử thụ động (94)

Ăng-ten GPS có độ lợi cao (14)

Ống ăng-ten truyền thông không dây (30)

Combo Antenna (14)

Ống ăng-ten tần số thấp (5)

Ăng-ten TV kỹ thuật số (7)

Cáp đồng trục RF (9)

Đầu nối đồng trục RF (10)

Dịch vụ lắp ráp PCB (5)

Terminal Block Connectors (19)

TRUNG QUỐC TOP Electronic Industry Co., Ltd. Chứng chỉ

Sản phẩm tuyệt vời, chất lượng tốt, giá cả cạnh tranh, dịch vụ chuyên nghiệp, với 10 năm hợp tác, bây giờ chúng tôi trở thành những người bạn tốt lẫn nhau.

—— Ronald-from Boilvia

Rất vui khi thấy TOP là đối tác của chúng tôi ở Trung Quốc, ở đây chúng tôi có thể nhận được Sản phẩm và serice tốt nhất, họ luôn đặt khách hàng lên hàng đầu.

—— Carlos từ Argentina

Tôi rất hài lòng với tất cả các dịch vụ của bạn. Nó thực sự là một đội tốt! với ưu đãi giải pháp một cửa của bạn, giúp chúng tôi tiết kiệm nhiều thời gian và tiền bạc

—— Giancarlo đến từ Ý

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A Mô-đun nửa cầu IGBT công nghệ dừng rãnh thấp VCEsat chuyển mạch nhanh chắc chắn cho bộ biến tần và biến tần

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A Mô-đun nửa cầu IGBT công nghệ dừng rãnh thấp VCEsat chuyển mạch nhanh chắc chắn cho bộ biến tần và biến tần

FF400R06KE3HOSA1 IGBT mô-đun 600V 400A công nghệ dừng rãnh nửa cầu VCEsat cao tốc độ công nghiệp

TT120N16SOFHPSA1 SCR mô-đun 1600V Vdrm 120A Itav áp suất tiếp xúc cao giật thấp mất mát công nghiệp

SC200EWFDA-G55-UNNNA tụ nhôm điện phân SMD 200V định mức 105°C trở kháng thấp tuổi thọ cao gợn sóng cao -40 đến +105°C cho nguồn và LED

TT600N16KOF 1600V 600A Dual Thyristor Module Low VF 1.32V High Surge 21kA Pressure Contact Technology Isolated Baseplate Trench Gate UL được chứng nhận cho các bộ khởi động mềm và bộ chỉnh sửa

Mô-đun nguồn IGBT

(91)

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A Mô-đun nửa cầu IGBT công nghệ dừng rãnh thấp VCEsat chuyển mạch nhanh chắc chắn cho bộ biến tần và biến tần
Tiếp xúc

FF400R06KE3HOSA1 600V 400A IGBT mô-đun nửa cầu công nghệ dừng rãnh thấp VCEsat chuyển đổi nhanh mạnh mẽ cho biến tần và ổ đĩa Đặc điểm Topology nửa cầuHai IGBT với các diode chống song song trong một mô-đun, lý ... Đọc thêm

2026-05-19 17:45:21

FF400R06KE3HOSA1 IGBT mô-đun 600V 400A công nghệ dừng rãnh nửa cầu VCEsat cao tốc độ công nghiệp
Tiếp xúc

FF400R06KE3HOSA1 IGBT mô-đun 600V 400A công nghệ dừng rãnh nửa cầu VCEsat cao tốc độ công nghiệp Đặc điểm 600V điện áp từ máy thu điện (Vces)- Phù hợp với các ổ AC 400V và hệ thống chuyển đổi điện. Dòng điện ... Đọc thêm

2026-05-19 17:45:07

TT120N16SOFHPSA1 SCR mô-đun 1600V Vdrm 120A Itav áp suất tiếp xúc cao giật thấp mất mát công nghiệp
Tiếp xúc

TT120N16SOFHPSA1 SCR module 1600V Vdrm 120A Itav tiếp xúc áp suất cao tăng thấp tổn thất cấp công nghiệp để điều khiển nguồn Đặc trưng Điện áp ngoài trạng thái cực đại lặp lại 1600V (Vdrm)– Thích hợp cho điều ... Đọc thêm

2026-05-19 17:45:04

SC200EWFDA-G55-UNNNA tụ nhôm điện phân SMD 200V định mức 105°C trở kháng thấp tuổi thọ cao gợn sóng cao -40 đến +105°C cho nguồn và LED
Tiếp xúc

SC200EWFDA-G55-UNNNA Tụ nhôm điện phân SMD điện áp định mức 200V nhiệt độ 105°C trở kháng thấp tuổi thọ cao dòng gợn sóng cao -40 đến +105°C cho nguồn và LED Tính năng Cấu tạo tụ nhôm điện phân SMD – Lý tưởng ... Đọc thêm

2026-05-09 16:23:49

TT600N16KOF 1600V 600A Dual Thyristor Module Low VF 1.32V High Surge 21kA Pressure Contact Technology Isolated Baseplate Trench Gate UL được chứng nhận cho các bộ khởi động mềm và bộ chỉnh sửa
Tiếp xúc

2026-04-10 18:08:20

SKM400GB12T4 1200V 400A Mô-đun IGBT Kép TRENCHSTOP™ IGBT4 VCE(sat) Thấp 1.75V Khả năng SC 10μs Đi-ốt CAL Tổn thất chuyển mạch thấp SEMITRANS3 Chứng nhận UL cho Ổ đĩa Công suất Cao
Tiếp xúc

SKM400GB12T4 1200V 400A Mô-đun IGBT kép TRENCHSTOP TM IGBT4 VCE thấp ((sat) 1.75V 10μs SC Capacity CAL Diode Low Switching Losses SEMITRANS3 UL Chứng nhận cho ổ đĩa công suất cao Đặc điểm 1200V điện áp bộ sưu t... Đọc thêm

2026-04-10 18:08:16

SKM75GB128DN 1200V, 75A Mô-đun IGBT kép VCE thấp (sat) 1.9V Chuyển nhanh Diode tích hợp 10μs SC Khả năng SEMITOP2 Gói Press-Fit Pin UL được chứng nhận cho ổ đĩa và Inverter
Tiếp xúc

SKM75GB128DN 1200V, 75A Mô-đun IGBT kép VCE thấp (sat) 1.9V Chuyển nhanh Diode tích hợp 10μs SC Khả năng SEMITOP2 Gói Press-Fit Pin UL được chứng nhận cho ổ đĩa và Inverter Đặc điểm 1200V điện áp bộ sưu tập - ... Đọc thêm

2026-04-10 18:08:13

SKKH570/18E 1800V 570A Thyristor-Diode Module Dual Series Amplifying Gate Low VF 1.44V, 19kA Surge AlN Các liên lạc áp suất cơ sở gốm UL được chứng nhận cho các máy khởi động mềm
Tiếp xúc

SKKH570/18E 1800V 570A Thyristor-Diode Module Dual Series Amplifying Gate Low VF 1.44V, 19kA Surge AlN Các liên lạc áp suất cơ sở gốm UL được chứng nhận cho các máy khởi động mềm Đặc điểm Voltage ngược đỉnh lặp ... Đọc thêm

2026-03-23 17:35:00

SKKE600/16 1600V 600A Mô-đun Diode đơn cực thấp VF 1.5V Lưu điện cao 22kA SEMIPACK4 Cơ sở cô lập Chuyển nhiệt xuất sắc Độ tin cậy cao UL được chứng nhận cho máy chỉnh và hàn
Tiếp xúc

SKKE600/16 1600V 600A Mô-đun Diode đơn cực thấp VF 1.5V Lưu điện cao 22kA SEMIPACK4 Cơ sở cô lập Chuyển nhiệt xuất sắc Độ tin cậy cao UL được chứng nhận cho máy chỉnh và hàn Đặc điểm 1600V điện áp ngược đỉnh l... Đọc thêm

2026-03-23 17:34:56

SKDH116/16-L105 1600V 116A Mô-đun IGBT Cầu 3 Pha Tăng Cường Bộ Cắt Tích hợp NTC Dòng quá áp cao 950A Vỏ SEMIPONT6 Chân ép Chứng nhận UL cho UPS và Bộ truyền động
Tiếp xúc

SKDH116/16-L105 1600V 116A IGBT Module 3-Phase Bridge Boost Chopper tích hợp NTC High Surge Current 950A SEMIPONT6 Package Press-In Pin UL được chứng nhận cho UPS và ổ đĩa Đặc điểm Voltage chặn 1600V với dòng ... Đọc thêm

2026-03-23 17:34:53

Page 1 of 10|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >> >|