Sản phẩm tuyệt vời, chất lượng tốt, giá cả cạnh tranh, dịch vụ chuyên nghiệp, với 10 năm hợp tác, bây giờ chúng tôi trở thành những người bạn tốt lẫn nhau.
—— Ronald-from Boilvia
Rất vui khi thấy TOP là đối tác của chúng tôi ở Trung Quốc, ở đây chúng tôi có thể nhận được Sản phẩm và serice tốt nhất, họ luôn đặt khách hàng lên hàng đầu.
—— Carlos từ Argentina
Tôi rất hài lòng với tất cả các dịch vụ của bạn. Nó thực sự là một đội tốt! với ưu đãi giải pháp một cửa của bạn, giúp chúng tôi tiết kiệm nhiều thời gian và tiền bạc
—— Giancarlo đến từ Ý
Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ
FF400R06KE3HOSA1 600V 400A Mô-đun nửa cầu IGBT công nghệ dừng rãnh thấp VCEsat chuyển mạch nhanh chắc chắn cho bộ biến tần và biến tần
FF75R12RT4 Mô-đun IGBT 1200V 75A Vce(sat) Thấp Khả năng chịu ngắn mạch cao Tổn thất chuyển mạch thấp Cách ly cao Dành cho Ổ đĩa công nghiệp và Bộ biến tần UPS Tính năng Thông số kỹ thuật tiêu chuẩn:1200V / 75A ... Đọc thêm
SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce ((sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode Temp cao 150°C Loss thấp mật độ điện cao Đối với UPS và Inverter nhỏ gọn Đặc điểm Thiết kế nhỏ gọn Đặt một vít Chuyển đ... Đọc thêm
SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce ((sat) Khởi động nhanh Diode khôi phục mềm Nhiệt độ cao 175 °C Mức độ mất mát thấp Công nghiệp Đối với UPS và Inverter mặt trời Đặc điểm 1600V / 450A Lư... Đọc thêm
NH1GG69V250P 1250V 250A Mô-đun MOSFET SiC Điện trở Rds(on) thấp 3.3mΩ Chuyển mạch nhanh Tần số cao Tổn thất thấp Mật độ công suất cao Cấp công nghiệp Dành cho bộ biến tần PV và truyền động động cơ Tính năng K... Đọc thêm
NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 11mΩ Tốc độ chuyển đổi nhanh tần số cao nhiệt độ cao 175 °C Loss thấp Thang hiệu công nghiệp cho năng lượng mặt trời và động cơ công nghiệp Đặc điểm Kích ... Đọc thêm
NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Rds thấp ((on) 18mΩ Chuyển đổi nhanh tần số cao hiệu quả cao Hiệu suất mạnh mẽ TO-247 gói cho máy chủ SMPS & Động cơ Đặc điểm VDS = 60V,ID = 50A RDS ((ON) < 20mΩ @ VGS = 10V Thiết kế ... Đọc thêm
MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-Bridge Module Low Rds ((on) Chuyển nhanh tần số cao vận hành nhiệt độ cao mất mát thấp Đặc điểm D IGBT CHIP ((Công nghệ Trench+Field Stop) □ VCE (sat) với hệ số nhiệt độ dương ... Đọc thêm
MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Hiệu suất cao Tốc độ cao Chuyển đổi chất lỏng hạng ô tô được làm mát cho các Inverter kéo xEV Đặc điểm Thời gian phục hồi ngược cực nhanh Đặc ... Đọc thêm
IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Rds thấp ((on) 65mΩ Chuyển nhanh tần số cao Cơ thể chắc chắn Diode hoạt động nhiệt độ cao TO-264 gói Đặc điểm Gói tiêu chuẩn quốc tế miniBLOC, với Aluminium Nitride Isolation RDS ... Đọc thêm
FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Module mật độ điện cao Vce thấp (sat) Chuyển nhanh tần số cao SOA mạnh mẽ cho ổ đĩa công nghiệp và UPS Đặc điểm Diode mở rộng để hoạt động tái tạo 4 kV AC 1min cách ... Đọc thêm