logo
TOP là nhà phân phối linh kiện điện tử chuyên nghiệp tại Trung Quốc.

chúng tôi cung cấp dịch vụ giải pháp một cửa, từ các mô-đun truyền thông, ăng-ten, PCB, PCBA và tất cả các thành phần cho PCB Bom.

Nhà
Sản phẩm
Về chúng tôi
Tham quan nhà máy
Kiểm soát chất lượng
Liên hệ chúng tôi
Yêu cầu báo giá
Nhà Sản phẩm

Mô-đun nguồn IGBT

TRUNG QUỐC TOP Electronic Industry Co., Ltd. Chứng chỉ
TRUNG QUỐC TOP Electronic Industry Co., Ltd. Chứng chỉ
Sản phẩm tuyệt vời, chất lượng tốt, giá cả cạnh tranh, dịch vụ chuyên nghiệp, với 10 năm hợp tác, bây giờ chúng tôi trở thành những người bạn tốt lẫn nhau.

—— Ronald-from Boilvia

Rất vui khi thấy TOP là đối tác của chúng tôi ở Trung Quốc, ở đây chúng tôi có thể nhận được Sản phẩm và serice tốt nhất, họ luôn đặt khách hàng lên hàng đầu.

—— Carlos từ Argentina

Tôi rất hài lòng với tất cả các dịch vụ của bạn. Nó thực sự là một đội tốt! với ưu đãi giải pháp một cửa của bạn, giúp chúng tôi tiết kiệm nhiều thời gian và tiền bạc

—— Giancarlo đến từ Ý

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

Mô-đun nguồn IGBT

(91)
TRUNG QUỐC FF75R12RT4 Mô-đun IGBT 1200V 75A Vce(sat) thấp Khả năng chịu tải ngắn mạch cao Tổn thất chuyển mạch thấp Cách ly cao Dùng cho bộ truyền động công nghiệp và bộ biến tần UPS nhà máy

FF75R12RT4 Mô-đun IGBT 1200V 75A Vce(sat) thấp Khả năng chịu tải ngắn mạch cao Tổn thất chuyển mạch thấp Cách ly cao Dùng cho bộ truyền động công nghiệp và bộ biến tần UPS

FF75R12RT4 Mô-đun IGBT 1200V 75A Vce(sat) Thấp Khả năng chịu ngắn mạch cao Tổn thất chuyển mạch thấp Cách ly cao Dành cho Ổ đĩa công nghiệp và Bộ biến tần UPS Tính năng Thông số kỹ thuật tiêu chuẩn:1200V / 75A ... Đọc thêm
2025-12-19 17:44:45
TRUNG QUỐC SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce ((sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode Temp cao 150°C Loss thấp mật độ điện cao Đối với UPS và Inverter nhỏ gọn nhà máy

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce ((sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode Temp cao 150°C Loss thấp mật độ điện cao Đối với UPS và Inverter nhỏ gọn

SK70KQ16 1600V 70A Quick IGBT Module Low Vce ((sat) 2.3V Fast Turn-off Soft Recovery Diode Temp cao 150°C Loss thấp mật độ điện cao Đối với UPS và Inverter nhỏ gọn Đặc điểm Thiết kế nhỏ gọn Đặt một vít Chuyển đ... Đọc thêm
2025-12-18 18:25:15
TRUNG QUỐC SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce ((sat) Khởi động nhanh Diode khôi phục mềm Nhiệt độ cao 175 °C Mức độ mất mát thấp Công nghiệp Đối với UPS và Inverter mặt trời nhà máy

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce ((sat) Khởi động nhanh Diode khôi phục mềm Nhiệt độ cao 175 °C Mức độ mất mát thấp Công nghiệp Đối với UPS và Inverter mặt trời

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT Half-Bridge Module Low Vce ((sat) Khởi động nhanh Diode khôi phục mềm Nhiệt độ cao 175 °C Mức độ mất mát thấp Công nghiệp Đối với UPS và Inverter mặt trời Đặc điểm 1600V / 450A Lư... Đọc thêm
2025-12-18 18:25:12
TRUNG QUỐC NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 3.3mΩ Chuyển đổi nhanh tần số cao mất mát thấp mật độ điện cao nhà máy

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 3.3mΩ Chuyển đổi nhanh tần số cao mất mát thấp mật độ điện cao

NH1GG69V250P 1250V 250A Mô-đun MOSFET SiC Điện trở Rds(on) thấp 3.3mΩ Chuyển mạch nhanh Tần số cao Tổn thất thấp Mật độ công suất cao Cấp công nghiệp Dành cho bộ biến tần PV và truyền động động cơ Tính năng K... Đọc thêm
2025-12-18 18:25:09
TRUNG QUỐC NH1GG69V125P 1250V 69A Mô-đun MOSFET SiC Điện trở thấp Rds(on) 11mΩ Chuyển mạch nhanh Tần số cao Nhiệt độ cao 175°C Mất mát thấp Cấp công nghiệp Dành cho Ứng dụng Năng lượng Mặt trời và Truyền động Công nghiệp nhà máy

NH1GG69V125P 1250V 69A Mô-đun MOSFET SiC Điện trở thấp Rds(on) 11mΩ Chuyển mạch nhanh Tần số cao Nhiệt độ cao 175°C Mất mát thấp Cấp công nghiệp Dành cho Ứng dụng Năng lượng Mặt trời và Truyền động Công nghiệp

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module Low Rds ((on) 11mΩ Tốc độ chuyển đổi nhanh tần số cao nhiệt độ cao 175 °C Loss thấp Thang hiệu công nghiệp cho năng lượng mặt trời và động cơ công nghiệp Đặc điểm Kích ... Đọc thêm
2025-12-18 18:25:07
TRUNG QUỐC NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Rds thấp ((on) 18mΩ Chuyển đổi nhanh tần số cao hiệu quả cao Hiệu suất mạnh mẽ TO-247 gói cho máy chủ SMPS & Động cơ nhà máy

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Rds thấp ((on) 18mΩ Chuyển đổi nhanh tần số cao hiệu quả cao Hiệu suất mạnh mẽ TO-247 gói cho máy chủ SMPS & Động cơ

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Rds thấp ((on) 18mΩ Chuyển đổi nhanh tần số cao hiệu quả cao Hiệu suất mạnh mẽ TO-247 gói cho máy chủ SMPS & Động cơ Đặc điểm VDS = 60V,ID = 50A RDS ((ON) < 20mΩ @ VGS = 10V Thiết kế ... Đọc thêm
2025-12-18 18:25:04
TRUNG QUỐC MMG200Q120B6TC Mô-đun Cầu bán phần SiC 1200V 200A Điện trở Rds(on) thấp Chuyển mạch nhanh Tần số cao Hoạt động ở nhiệt độ cao Tổn thất thấp Cấp công nghiệp Dành cho PV &amp; UPS nhà máy

MMG200Q120B6TC Mô-đun Cầu bán phần SiC 1200V 200A Điện trở Rds(on) thấp Chuyển mạch nhanh Tần số cao Hoạt động ở nhiệt độ cao Tổn thất thấp Cấp công nghiệp Dành cho PV & UPS

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-Bridge Module Low Rds ((on) Chuyển nhanh tần số cao vận hành nhiệt độ cao mất mát thấp Đặc điểm D IGBT CHIP ((Công nghệ Trench+Field Stop) □ VCE (sat) với hệ số nhiệt độ dương ... Đọc thêm
2025-12-18 18:25:02
TRUNG QUỐC MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Hiệu suất cao Tốc độ cao Chuyển đổi chất lỏng hạng ô tô được làm mát cho các Inverter kéo xEV nhà máy

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Hiệu suất cao Tốc độ cao Chuyển đổi chất lỏng hạng ô tô được làm mát cho các Inverter kéo xEV

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Hiệu suất cao Tốc độ cao Chuyển đổi chất lỏng hạng ô tô được làm mát cho các Inverter kéo xEV Đặc điểm Thời gian phục hồi ngược cực nhanh Đặc ... Đọc thêm
2025-12-18 18:24:59
TRUNG QUỐC IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Rds thấp ((on) 65mΩ Chuyển nhanh tần số cao Cơ thể chắc chắn Diode hoạt động nhiệt độ cao TO-264 gói nhà máy

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Rds thấp ((on) 65mΩ Chuyển nhanh tần số cao Cơ thể chắc chắn Diode hoạt động nhiệt độ cao TO-264 gói

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Rds thấp ((on) 65mΩ Chuyển nhanh tần số cao Cơ thể chắc chắn Diode hoạt động nhiệt độ cao TO-264 gói Đặc điểm Gói tiêu chuẩn quốc tế miniBLOC, với Aluminium Nitride Isolation RDS ... Đọc thêm
2025-12-18 18:24:57
TRUNG QUỐC FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Module mật độ điện cao Vce thấp (sat) Chuyển nhanh tần số cao SOA mạnh mẽ cho ổ đĩa công nghiệp và UPS nhà máy

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Module mật độ điện cao Vce thấp (sat) Chuyển nhanh tần số cao SOA mạnh mẽ cho ổ đĩa công nghiệp và UPS

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT Module mật độ điện cao Vce thấp (sat) Chuyển nhanh tần số cao SOA mạnh mẽ cho ổ đĩa công nghiệp và UPS Đặc điểm Diode mở rộng để hoạt động tái tạo 4 kV AC 1min cách ... Đọc thêm
2025-12-18 18:24:53
Page 7 of 10|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|